NANDフラッシュの微細化は、限界が近いようです。
どんな半導体でも微細化が際限なくできるという訳ではありません。しかし、NANDの場合は限界への到達がかなり早いように感じます。
でも、実はNANDフラッシュは歴史が古く、かなり昔から微細化を追求していたようです。（詳しくは、【FMS 2011レポート】を参照）
なので、早くも微細化の限界が近づいたようです。
では、そのまま限界に到達してしまうのか？というとそうでもなく、それを解決（厳密には先延ばし）できる技術があるそうです。
それは、「3D NAND Flash」技術だそうです。専用のメガネをかけると立体的に見えそう（笑）ですが、本当に３次元的な構造なのだそうです。
これまでは、水平に配置されていた回路を、垂直にしてしまうことで、大幅にスペースを節約できるのだそうです。
実現すれば、スペースは３２分の１になるそうです。逆にいえば、３２倍の容量にすることができますので、一挙に大容量化が可能になります。
半導体は、１つのシリコンウェハーに対してどれだけたくさん回路を詰め込めるかで、容量当たりの価格が決まります。
極端な言い方をすれば、同じ大きさのシリコンならば価格も同じですので、当然回路がたくさん詰まっているほうがお得です。
この技術が一般化すれば、SSDやUSBメモリの大幅な値下げが十分ありうるのです。
しかし、そんな簡単にはことは進んでいないようですので、ぜひ頑張って技術開発を進めてほしいですね。