サムスンがNANDの大容量化に向けて技術を発表しました。
サムスンが行おうとしているのは『3D V-NAND』と呼ばれる技術です。
この技術はメモリチップを内部で何層にも重ねる積層技術で、層を増やせば容量が飛躍的に増えるというものです。
古くは2011年から開発していたようですが、当時8層であったものが今年になって32層まで行けるようになって発売に至ったようです。
今後は100層で1Tbitの製品まで行くようです。また、同じ容量なら従来品より3D V-NANDの方が電力が半分程度になるそうです。
映像の世界では3Dをよく見かけますが、半導体の世界でも3Dなのですね。
これで、価格が下がってくれれば申し分ないわけで、そこが一番気になるところでもありますね。