ISSCCという半導体の国際会議において、数々の新技術が公開されるようです。
例えば、将来的なものとしては「相変化メモリ」について発表があるようです。
また、ごく最近のものとしてはNANDの大容量のものが発表されるようです。
NANDに関しては、19nmプロセスで製造され、128Gbitの大容量になるようです。これは、１セルに3bit（MLCは2bit）のデータを記録する方式（TLC）を採用しています。
速度や寿命が気になりますが、その部分がクリアされていれば、SSDの低価格大容量化が一気に進むことになるでしょう。
NANDはそろそろ技術的には限界が近いと思うので、相当気合を入れて研究しているのではないでしょうか。
いずれにしても、磁気記憶からフラッシュメモリへの移行が将来的には確実に起こるでしょう。
そうなると速度や信頼性の面でこれまでとは違った対応をしないといけなくなります。
現在のところはSSDを使ってその点について勉強しておかなくてはいけないでしょうね。